南韓兩大記憶體廠因應中國競爭與AI商機
根據《Yahoo新聞》引述外電與知情人士的說法，南韓半導體指標企業三星電子與SK海力士正積極調整其在中國當地的生產基地，目標是導入層數更高、技術更為先進的NAND快閃記憶體製程。
報導指出，這波製程升級的主要考量，一方面是為了迎頭趕上中國當地同業日益嚴峻的競爭挑戰，另一方面則是為了填補人工智慧應用急速擴張所帶動的龐大晶片需求。
三星西安廠與SK海力士大連廠升級藍圖
《財訊快報》引述知情人士的資訊提到，三星電子正著手改造位於西安的廠房，預計投入生產286層的V9 NAND晶片，設定的量產時程包含目標在2026年12月達到月產5,000片晶圓，並在2027年12月把月產量提升至4萬片。
另一方面，SK海力士則規劃升級大連廠區，將現階段的192層製程向上推進，預計生產層數達到240層以上的NAND晶片，藉此縮小南韓本土廠房與中國廠房之間的技術差距。
面對美國出口管制，韓廠與華盛頓持續協商
《Newtalk新聞》與《中央社》的報導均指出，儘管美國持續對中國實施先進晶片設備的出口管制，南韓這兩家記憶體大廠仍積極推動中國生產線的技術改造。
面對外界對廠房升級與美國出口政策的關注，三星電子與SK海力士兩家公司皆對外證實，關於中國工廠的升級計畫，目前確實正在與華盛頓官方進行協商。
